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超高压烧结Si3N4陶瓷X射线衍射分析
作者姓名:温静娴  王宝棣  陈国(王禽)  黄衍信  罗平
作者单位:广西大学工业测试实验中心,南宁,530004;广西大学计算机与信息工程学院,南宁,530004;广西分析测试中心,南宁,530002
摘    要:对采用超高压烧结工艺,在不同烧结温度(保温时间均为240s)下制作的Si3N4陶瓷,用X射线衍射仪对其相结构变化进行了分析研究,发现超高压烧结的Si3N4陶瓷可以在较低温度下瞬间完成从α相向β相的转变过程.

关 键 词:超高压烧结  Si3N4陶瓷  韧性
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