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| 磷掺杂对单壁碳纳米管电子结构的影响 | |
| 作者姓名： | 陈阿青 邵庆益 林志成 |
| 作者单位： | 华南师范大学物理与电信工程学院; |
| 基金项目： | 福建省自然科学基金计划资助项目(编号:A0220001) |
| 摘 要： | 用基于密度泛函理论的第一性原理对掺P的单壁碳纳米管（SWCNT）进行以下方面的计算：几何形状结构和电子能带结构,杂质的形成能、总能量、态密度和能带结构.得出在不同管径的P掺杂SWCNT中,杂质的形成能随着管径的增大而增大,相同管径的SWCNT的总能量随着掺杂浓度的增大而减小,不同位置杂质P和它附近的C所形成的键角不同,进一步得到不同位置杂质产生的杂质能级的位置也不同,这可能由C—P—C键角的大小决定.从结果中还得到P原子以替位式掺杂形式掺入到碳纳米管中是可行的,而且掺P的SWCNT导电呈现出N型. |
| 关 键 词： | 单壁碳纳米管 P掺杂 第一性原理计算 形成能 态密度 |
| 收稿时间： | 2008-10-17 |
| 修稿时间： | 2009-01-18 |
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