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| GaN基垂直腔面发射激光器的研制 | |
| 引用本文： | 张保平,蔡丽娥,张江勇,李水清,尚景智,王笃祥,林峰,林科闯,余金中,王启明.GaN基垂直腔面发射激光器的研制[J].厦门大学学报(自然科学版),2008,47(5). |
| 作者姓名： | 张保平 蔡丽娥 张江勇 李水清 尚景智 王笃祥 林峰 林科闯 余金中 王启明 |
| 作者单位： | 1. 厦门大学物理与机电工程学院,福建,厦门,361005 2. 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,北京,100083;厦门大学物理与机电工程学院,福建,厦门,361005 3. 厦门三安电子有限公司技术中心,福建,厦门,361009 |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
| 摘 要： | 作者在我国大陆首次实现了GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)的激射.首先采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上进行高质量氮化物增益区的外延生长,然后在表面沉积高反射介质膜分布布拉格反射镜(DBR).将样品键合到其它支撑片上后,采用激光剥离技术将蓝宝石村底去除.再在去除蓝宝石后露出的氮化物表面沉积第二组介质膜DBR制成VCSEL.在室温光泵条件下,观察到VCSEL的激射,激射波长449.5 nm.阈值6.5 mJ/cm2,激射峰的半高宽小于0.1 nm,这些指标达到了国际领先水平.本文为进一步研制实用化氮化物VCSEL奠定了重要的基础. |
| 关 键 词： | 宽禁带半导体 氮化镓 氮化物 半导体激光器 垂直腔面发射激光器 |
Fabrication of GaN-based Vertical Cavity Surface Emitting Lasers |
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| ZHANG Bao-ping,CAI Li-e,ZHANG Jiang-yong,LI Shui-qing,SHANG Jing-zhi,WANG Du-xiang,LIN Feng,LIN Ke-chuang,YU Jin-zhong,WANG Qi-ming.Fabrication of GaN-based Vertical Cavity Surface Emitting Lasers[J].Journal of Xiamen University(Natural Science),2008,47(5). | |
| Authors: | ZHANG Bao-ping CAI Li-e ZHANG Jiang-yong LI Shui-qing SHANG Jing-zhi WANG Du-xiang LIN Feng LIN Ke-chuang YU Jin-zhong WANG Qi-ming |
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