| 电子受体强度对基于Thieno[3,2-b]thiophene的共轭聚合物电子性质的影响 |
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| 引用本文： | 傅杨武,陈明君,周胡来,张洁,冉娟.电子受体强度对基于Thieno[3,2-b]thiophene的共轭聚合物电子性质的影响[J].四川大学学报(自然科学版),2018,55(6):1275-1281. |
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| 作者姓名： | 傅杨武 陈明君 周胡来 张洁 冉娟 |
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| 作者单位： | 重庆三峡学院,重庆三峡学院,重庆三峡学院,重庆三峡学院,重庆三峡学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（21073144） |
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| 摘 要： | 采用杂化的密度泛函方法(DFT/B3LYP),在6-31G(d)理论水平下研究了基于噻吩并3,2-b]噻吩(Thieno3,2-b]thiophene,TT))的D-A型共轭聚合物的几何结构、电子结构和性质.研究发现,在以TT为电子供体的D-A型共轭聚合物中,电子受体强度是影响其几何结构、电子结构和性质的重要因素.对基于TT的电子受体与电子供体交替排列的D-A型共轭聚合物,在一定范围内,电子受体强度增加,有利于减小共轭聚合物的键长交替,降低聚合物的能隙,并使其能带变宽,电子离域程度增大,载流子有效质量减小,载流子迁移能力增强.但受体强度过大,键长交替反而增大,能带和能隙均变窄,载流子迁移能力减弱.
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| 关 键 词： | 噻吩并[3 2-b]噻吩 电子受体强度 电子结构与性质 |
| 收稿时间： | 2018/2/27 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2018/3/30 0:00:00 |
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