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| 电化学原子层外延及Te,CD元素欠电势沉积研究 | |
| 引用本文： | 樊玉薇,李永祥.电化学原子层外延及Te,CD元素欠电势沉积研究[J].东南大学学报(自然科学版),1998,28(1):37-42. |
| 作者姓名： | 樊玉薇 李永祥 |
| 作者单位： | 东南大学电子工程系 |
| 摘 要： | 阐述了一种处延沉积化合物半导体的新方法－电化学原子层外延（ＥＣＡＬＥ）并对其基础欠电势沉积（ＵＰＤ）进行了讨论，着重研究了Ⅱ，Ⅳ族元素Ｃｄ，Ｔｅ的电化学欠电势沉积，根据电化学循环伏安曲线，研究了Ｔｅ和Ｃｄ在Ｓｉ－Ａｕ（１１１）基片上以及交替生长过程中ＵＰＤ沉积电位及相应覆盖度值，由此确定了在Ｓｉ－Ａｕ（１１１）衬底上交替沉积Ｔｅ，Ｃｄ原子层的方法，在此基础上，初步进行了多次交替沉积，并用ＡＦＭ与Ａ |
| 关 键 词： | ECALE CdTe 欠电势沉积 薄膜 |
Investigations on the ECALE and on the Underpotential Deposition of Te and Cd Elements |
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| Fan Yuwei,Li Yongxiang,Wu Chongruo.Investigations on the ECALE and on the Underpotential Deposition of Te and Cd Elements[J].Journal of Southeast University(Natural Science Edition),1998,28(1):37-42. | |
| Authors: | Fan Yuwei Li Yongxiang Wu Chongruo |
| Abstract: | |
| Keywords: | electrochemical atomic layer epitaxy (ECALE) CdTe compound underpotential deposition (UPD) UPD potential alternate deposition |
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