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拓扑绝缘体表面电子在非均匀磁场下的束缚态与能谱
引用本文:王俊亚,聂一行.拓扑绝缘体表面电子在非均匀磁场下的束缚态与能谱[J].山西大学学报(自然科学版),2013,36(2):214-218.
作者姓名:王俊亚  聂一行
作者单位:山西大学理论物理研究所,山西太原,030006
摘    要:计算了拓扑绝缘体表面上狄拉克电子在磁势约束下的能谱,分别就圆形和环形约束量子点给出了通过磁势垒约束狄拉克电子形成束缚态的条件.量子点半径趋于零时,狄拉克电子占据朗道能级,半径增大时出现(n,m)态和(n,-m)态的简并.环形量子点中内外半径之比小于某个临界值时,才会出现束缚态,反之,退化到朗道能级.这些束缚能级可以通过改变约束半径或磁场大小来调制,对设计拓扑保护的量子器件有重要应用.

关 键 词:拓扑绝缘体  狄拉克电子  束缚态

Energy Spectrum and Bound States of Electron on the Surface of Topological Insulator
WANG Jun-ya,NIE Yi-hang.Energy Spectrum and Bound States of Electron on the Surface of Topological Insulator[J].Journal of Shanxi University (Natural Science Edition),2013,36(2):214-218.
Authors:WANG Jun-ya  NIE Yi-hang
Institution:(Institute of Theoretical Physics,Shanxi University,Taiyuan 030006,China)
Abstract:
Keywords:Topological insulator  Dirac electron  bound state
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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