| 电子束直写模版电沉积制备图案化磁记录介质 |
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| 引用本文： | 钞书哲,丁玉成,叶向东,李涤尘.电子束直写模版电沉积制备图案化磁记录介质[J].西安交通大学学报,2009,43(3). |
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| 作者姓名： | 钞书哲 丁玉成 叶向东 李涤尘 |
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| 作者单位： | 西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室,710049,西安 |
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| 摘 要： | 以电子束直写光刻图形为模版,采用直流电沉积和数值模拟的方法,研究了镍纳米柱阵列图案化磁记录介质的制备工艺和模版电沉积过程中的沉积不均匀问题.研究结果表明,在加速电压、曝光电流确定的条件下,电子束直写光刻模版孔径由曝光时间决定,模版的孔径和孔距在10 nm量级精确可调.在纳米孔阵列模版中进行电沉积时,适当增大孔距,降低阴极电解电势,可以减小电沉积过程中相邻孔之间的相互干扰,提高电沉积的均匀性,从而为图案化磁记录介质的电沉积制备提供了一种新的方法.
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| 关 键 词： | 图案化磁记录介质 电子束直写光刻 电沉积 不均匀 |
Preparation of Patterned Media with Electron Beam Direct-Writing Lithography and Electrodeposition |
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| CHAO Shuzhe,DING Yucheng,YE Xiangdong,LI Dichen.Preparation of Patterned Media with Electron Beam Direct-Writing Lithography and Electrodeposition[J].Journal of Xi'an Jiaotong University,2009,43(3). |
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| Authors: | CHAO Shuzhe DING Yucheng YE Xiangdong LI Dichen |
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