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| 多孔氢氧化钴薄膜的制备及其超级电容器性能 | |
| 引用本文： | 张永起,夏新辉,康婧,涂江平.多孔氢氧化钴薄膜的制备及其超级电容器性能[J].科学通报,2012(27):2644-2648. |
| 作者姓名： | 张永起 夏新辉 康婧 涂江平 |
| 作者单位： | 浙江大学材料科学与工程学系,硅材料国家重点实验室 |
| 基金项目： | 中国博士后科学基金(20100481401)资助 |
| 摘 要： | 采用水热合成法在泡沫镍基体上制备了多孔氢氧化钴薄膜.薄膜由厚度约为20nm的氢氧化钴片层组成.通过循环伏安法、恒电流充放电测试法等对多孔氢氧化钴薄膜电极在2mol/LKOH电解液中进行电化学性能的测试.结果表明,多孔氢氧化钴薄膜具有良好的赝电容性能.在室温条件下,当电流密度为2A/g时,多孔氢氧化钴薄膜比容量达到935F/g,且其大电流放电性能优良,电流密度为40A/g时其比容量达到589F/g.多孔薄膜还表现出良好的循环特性,在电流密度2A/g循环1500周期后,容量保持率为82.6%. |
| 关 键 词： | 超级电容器 氢氧化钴薄膜 电化学性能 水热合成 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |