| 应用Mg离子注入获得高表面空穴载流子浓度P-型GaN |
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| 引用本文： | 龙涛,杨志坚,张国义.应用Mg离子注入获得高表面空穴载流子浓度P-型GaN[J].北京大学学报(自然科学版),2001,37(5):701-704. |
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| 作者姓名： | 龙涛 杨志坚 张国义 |
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| 作者单位： | 北京大学物理学系，北京，100871 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;69789601,69876002; |
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| 摘 要： | 应用Mg离子注入MOCVD法生长掺杂Mg的GaN中，在经过800℃, 1h的退火后，获得高空穴载流子浓度(8.28×1017cm-3)的P-型GaN。首次报道了实验上通过Mg离子注入到Mg生长掺杂的GaN中并获得高的表面空穴载流子浓度。
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| 关 键 词： | MOCVD 离子注入 Mg掺杂GaN |
| 收稿时间： | 2000-06-30 |
High Surface Hole Concentration P-type GaN Using Mg Implantation |
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| LONG Tao\ YANG Zhijian\ ZHANG Guoyi.High Surface Hole Concentration P-type GaN Using Mg Implantation[J].Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis,2001,37(5):701-704. |
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| Authors: | LONG Tao\ YANG Zhijian\ ZHANG Guoyi |
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| Institution: | Department of Physics, Peking University, Beijing, 100871 |
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| Abstract: | Mg ions were implanted on Mg-doped GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD). The p-type GaN was achieved with high hole concentration(8.28×1017cm-3)conformed by Van der pauw Hall measurement after annealing at 800℃ for 1h. This is the first experimental report of Mg implantation on Mg-doped GaN and achieving p-type GaN with high surface hole concentration. |
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| Keywords: | MOCVD ion implantation Mg\|doped GaN |
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