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真空蒸镀聚苯硫醚薄膜的电学双稳态研究
引用本文:郭晓春,董桂芳,王立铎,邱勇.真空蒸镀聚苯硫醚薄膜的电学双稳态研究[J].科学通报,2006,51(22):2624-2626.
作者姓名:郭晓春  董桂芳  王立铎  邱勇
作者单位:有机光电子与分子工程教育部重点实验室,清华大学化学系,北京,100084
基金项目:致谢 本工作为国家自然科学基金(批准号:50573039,50473009)资助项目.
摘    要:研究发现, 通过真空蒸镀制得的聚苯硫醚(PPS)薄膜具有电学双稳态的特性. 由PPS薄膜制备的器件结构为: 玻璃/ITO/PPS (300 nm)/金. 施加5 s的80 V电压脉冲可将PPS薄膜转变为低阻态, 再施加5 s的100 V电压脉冲则可将其转回高阻态. 此特性有可能应用于数据存储. 作为存储器件, 其临界电压为40 V, 其读取电压为5 V. 实验表明, 外加电压下PPS薄膜电导状态的改变可能与C, S之间的电子转移有关.

关 键 词:聚苯硫醚  蒸镀  电双稳态  存储器件
收稿时间:2006-08-23
修稿时间:2006-08-232006-11-07
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