| 超突变结变容二极管C-V特性研究 |
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| 引用本文： | 吴春瑜,尹飞飞.超突变结变容二极管C-V特性研究[J].辽宁大学学报(自然科学版),2005,32(1):1-3. |
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| 作者姓名： | 吴春瑜 尹飞飞 |
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| 作者单位： | 辽宁大学,物理系,辽宁,沈阳,110036;辽宁大学,物理系,辽宁,沈阳,110036 |
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| 基金项目： | 辽宁省自然科学基金(002021)，辽宁省教育厅科研基金(20021076) |
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| 摘 要： | 对超突变结器件的杂质分布模型进行了研究并加以改进，导出不同杂质分布的新的电容电压方程，方程中的主要参数与实际工艺参数一致．理论结果与实验曲线符合得很好，证明假设的杂质分布模型是合理的，由此导出的电容电压方程是正确的和实用的。
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| 关 键 词： | 变容二极管 杂质 超突变结 |
| 文章编号： | 1000-5846(2005)01-0001-03 |
| 修稿时间： | 2004年9月27日 |
Research on Capacitance-Voltage Characteristics of the Hyper-abrupt Junction Diode |
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| WU Chun-yu,YIN Fei-fei.Research on Capacitance-Voltage Characteristics of the Hyper-abrupt Junction Diode[J].Journal of Liaoning University(Natural Sciences Edition),2005,32(1):1-3. |
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| Authors: | WU Chun-yu YIN Fei-fei |
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| Abstract: | This essay is about the research and improvement of the model of impurity distribution of hyper-abrupt junction. As the result, several more suitable C-V equation was established. The main parameters are complied with the real parameters used in the technical line, and this is where the advantage of this equation lies. Theoretical results stand on line with the experimental figures, so this reflects that the impurity distribution model mentioned in this essay is reliable, so that the final equation is correct and applicable. |
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| Keywords: | varactor impurity hyper-abrupt |
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