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硅基SiC薄膜的制备及性能研究
引用本文:胡冰冰,何晓雄,许世峰,孙飞翔. 硅基SiC薄膜的制备及性能研究[J]. 合肥工业大学学报(自然科学版), 2015, 0(3): 351-353,392
作者姓名:胡冰冰  何晓雄  许世峰  孙飞翔
作者单位:合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽合肥,230009
基金项目:安徽省自然科学基金资助项目
摘    要:文章采用电子束物理气相沉积法在单晶Si(100)基片上制备了单层SiC薄膜和Al2O3/SiC双层膜,然后在不同温度下经氩气保护退火。通过X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)对所制备的薄膜进行了结构和表面形貌分析。研究表明:退火后SiC薄膜由非晶态转为晶态,随退火温度的升高,薄膜结晶更充分,薄膜表面平均粗糙度变小;双层膜与单层膜相比,其SiC衍射峰有所增强,薄膜表面更加平滑。

关 键 词:SiC薄膜  电子束物理气相沉积  表面形貌  X射线衍射

Preparation and properties of SiC thin film on silicon substrate
HU Bing-bing,HE Xiao-xiong,XU Shi-feng,SUN Fei-xiang. Preparation and properties of SiC thin film on silicon substrate[J]. Journal of Hefei University of Technology(Natural Science), 2015, 0(3): 351-353,392
Authors:HU Bing-bing  HE Xiao-xiong  XU Shi-feng  SUN Fei-xiang
Affiliation:HU Bing-bing;HE Xiao-xiong;XU Shi-feng;SUN Fei-xiang;School of Electronic Science and Applied Physics,Hefei University of Technology;
Abstract:
Keywords:SiC thin film  electron beam-physical vapor deposition(EB-PVD)  surface morphology  X-ray diffraction(XRD)
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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