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| 第二类InAs／GaSb（001）半导体超晶格能带边结构的赝势计算 | |
| 作者姓名： | 刘申之 龙飞 梅飞 |
| 作者单位： | 江西师范大学计算中心，江西师范大学物理系 |
| 摘 要： | 采用一种新的赝势方法计算了第二类ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ超晶格能带边结构随着ＩｎＡｓ和ＧａＳｂ层厚变化的规律．计算结果显示，随着ＩｎＡｓ和ＧａＳｂ层厚的变化，超晶格中杂质将经历不同的深—浅杂质转变过程．同时，我们还得到超晶格发生半导体—半金属转变的区域 |
| 关 键 词： | 超晶格，能带边结构，赝势计算 |
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