| Ti和AlN陶瓷的界面反应 |
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| 引用本文： | 岳瑞峰,王佑祥.Ti和AlN陶瓷的界面反应[J].西安交通大学学报,1997,31(8):1-7. |
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| 作者姓名： | 岳瑞峰 王佑祥 |
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| 作者单位： | 西安交通大学，中国科学院半导体研究所，西安交通大学 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金,上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室资助 |
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| 摘 要： | 采用电子束蒸发的方法在抛光的２００℃ＡｌＮ陶瓷衬底上淀积厚度为２００ｎｍ的Ｔｉ膜，并在高真空中退火．利用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）、卢瑟福背散射谱（ＲＢＳ）、俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ）技术，研究了从２００～８５０℃温区内Ｔｉ与ＡｌＮ的固相界面反应，给出了界面组分分布随退火温度和时间的变化关系．在界面区发现了三元铝化物并观测到铝化物产生与发展过程．指出铝化物由Ｔｉ－Ａｌ二元和Ｔｉ－Ａｌ－Ｎ三元化合物组成．最后利用热力学理论对实验结果进行了解释
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| 关 键 词： | 固体－固体界面 固相反应 退火 元素分析 |
Interfacial Reaction of Ti and AlN Ceramics |
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| Yue,Ruifeng.Interfacial Reaction of Ti and AlN Ceramics[J].Journal of Xi'an Jiaotong University,1997,31(8):1-7. |
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| Authors: | Yue Ruifeng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | solid solid interfaces solid phase reaction annealing elemental analysis |
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