接触不良引发发光连接的动态变化

接触不良引发的发光连接温度高、隐蔽性强、普遍产生于电气线路中，是诱发电气火灾的重要引燃热源之一，涉及铜氧化、传热、电场间的复杂耦合与相互作用。为探究发光连接产生过程中关键参数的动态变化，该文通过构建发光连接实验平台，测得铜氧化物桥生长速率、电阻增大速率和温度，揭示了铜氧化物、电阻和温度相互作用规律。实验结果表明：铜氧化物桥长度和电阻均随时间线性增大；温度先升高，最终稳定在1400～1 600℃;随电流增大，铜氧化物桥生长速率增大，生长持续时间延长，电阻增大速率先增大后减小。接触不良引发发光连接是氧化程度加深、铜氧化物电阻率随电流改变、铜氧化物热容随温度变化等共同作用的结果。