高功率脉冲激光致硅表面氧的退吸研究 |
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引用本文: | 王忠烈.高功率脉冲激光致硅表面氧的退吸研究[J].北京师范大学学报(自然科学版),1984(4). |
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作者姓名: | 王忠烈 |
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作者单位: | 北京师范大学低能核物理研究所 |
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摘 要: | 引言近儿午来,离子注入硅的激光退火研究,引起了人们广泛的兴趣。许多文献报导,高功率脉冲激光退火,能够消除离子注入硅引起的辐射损伤,并使非品态转变为单品。但是,对于激光退火硅样品表面的氧沾污和扩散问题却研究不多。从仅有的研究中发现,不同作者所得结果颇不一致。文献4,5]从深能级的瞬态谱研究结果证实,经激光退火
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