| Monte Carlo 方法在高倍增 GaAs 光电导开关模拟中的应用 |
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| 引用本文： | 施卫,梁振宪,冯军. Monte Carlo 方法在高倍增 GaAs 光电导开关模拟中的应用[J]. 西安交通大学学报, 1998, 0(4) |
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| 作者姓名： | 施卫 梁振宪 冯军 |
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| 作者单位： | 西安交通大学 |
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| 摘 要： | 在ＧａＡｓＰＣＳＳ′ｓ的模拟中引入了ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法，重点对非线性模式中锁定（Ｌｏｃｋｏｎ）效应发生的机理及其阈值条件进行了计算分析．结果表明，阈值条件与器件材料的性质、偏置电场和激励光脉冲能量等因素密切相关．在与ＮＤＲ相对应的偏置电场范围内，Ｌｏｃｋｏｎ效应的发生有最低的光能要求．文中将这些结果与实验数据进行了对比分析和讨论．
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| 关 键 词： | 脉冲功率技术 GaAsPCSS′s Lock-on效应 MonteCarlo方法 |
Monte Carlo Simulation of High Gain GaAs Photoconductive Semiconductor Switches |
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| Shi Wei Liang Zhenxian Feng Jun. Monte Carlo Simulation of High Gain GaAs Photoconductive Semiconductor Switches[J]. Journal of Xi'an Jiaotong University, 1998, 0(4) |
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| Authors: | Shi Wei Liang Zhenxian Feng Jun |
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