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半绝缘lnp中Si^＋＋P^＋双注入的电学特性

引用本文：	沈鸿烈,杨根庆.半绝缘lnp中Si^＋＋P^＋双注入的电学特性[J].科技通讯(上海),1991(1):8-10,64.

作者姓名：	沈鸿烈杨根庆

摘要：
关键词：	磷化铟双注入热退火电学特性
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