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| Ag在Si(001)-(2×1)表面化学吸附的第一性原理研究 | |
| 引用本文： | 张芳,李伟,危书义.Ag在Si(001)-(2×1)表面化学吸附的第一性原理研究[J].河南师范大学学报(自然科学版),2011,39(1):94-97. |
| 作者姓名： | 张芳 李伟 危书义 |
| 作者单位： | 1. 平顶山学院,电气信息工程学院,河南,平顶山,467000 2. 河南城建学院,数理系,河南,平顶山,467036 3. 河南师范大学,物理与信息工程学院,河南,新乡,453007 |
| 摘 要： | 用紧束缚下的Muffin-tin轨道线性组合方法研究了0.5个单层Ag原子在Si(001)-(2×1)表面的化学吸附.计算了Ag原子在不同位置时吸附体系的能量.结果表明,Ag原子在cave位时吸附最稳定,在Ag/Si(001)界面不存在Ag-Si混合层,Ag/Si(001)界面为突变界面.同时对电子转移情况和层投影态密... |
| 关 键 词： | 化学吸附 银 硅 低指数单晶面 超级原胞 |
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