| 圆锥形图形化蓝宝石衬底对MOCVD生长GaN外延膜的位错密度和应力应变影响 |
| |
| 作者姓名： | 王焕友 李亚兰 谢光奇 李明君 |
| |
| 作者单位： | [1]湘南学院物理与电子信息工程系,郴州423000 [2]中南大学物理与电子学院,长沙410083 [3]华中师范大学物理科学与技术学院,武汉430079 |
| |
| 基金项目： | 湖南省教育厅科研基金（编号：10C1235）和湖南省自然科学基金（编号：13JJ3121）资助项目致谢感谢湘能华磊光电股份有限公司的大力支持,感谢湘能华磊光电股份有限公司戚运东博士、苗振林博士的有益探讨. |
| |
| 摘 要： | 通过金属氧化物化学气相沉积（MOCVD）方法在2．5μm×1．6μm×0．5μm圆锥形图形化蓝宝石衬底（CPSS）和没有图形化平面蓝宝石衬底（uss）上生长GaN外延膜．高分辨率X射线衍射仪（HRXRD）测试结果表明,生长在CPSS上GaN的刃位错的密度比生长在USS上GaN的刃位错密度低得多;从透射电子显微镜（TEM）观察,CPSS可有效地减小GaN外延膜中的线位错密度;拉曼散射谱显示通过CPSS可有效地减小GaN外延膜中的残余应力;比较两种外延膜中的光致发光谱（PL）,能从生长在CPSS上GaN外延膜中观察到强而尖的带边发射．以上结果表明：生长在CPSS上GaN外延膜的质量高于生长在USS上GaN外延膜的质量．
|
| 关 键 词： | 圆锥形图形化蓝宝石衬底 氮化镓 线位错 应力应变 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ |
|
