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| IGBT的驱动和保护技术探析 | |
| 引用本文： | 张亚苏.IGBT的驱动和保护技术探析[J].中国新技术新产品精选,2010(7):140-140. |
| 作者姓名： | 张亚苏 |
| 作者单位： | 陕西航空电气有限责任公司47所,陕西兴平713107 |
| 摘 要： | IGBT不仅具有电压控制输入特性、低阻通态输出特性，还具有高输入阻抗、电压驱动、无二次击穿和安全工作区宽等优点，可以在众多领域替代GTR和功率MOSFET等器件。同时，由于它的结构特性，决定了它具有高速开关的能力，可以满足PWM技术的要求。 |
| 关 键 词： | IGBT 驱动 保护 串联 |
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