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基于TD-LTE终端的连续时间ΣΔ ADC的设计
引用本文:黄沫,陈弟虎,叶晖,徐肯,郭建平.基于TD-LTE终端的连续时间ΣΔ ADC的设计[J].中山大学学报(自然科学版),2014(5):8-13.
作者姓名:黄沫  陈弟虎  叶晖  徐肯  郭建平
作者单位:中山大学理工学院;广州市广晟微电子有限公司;广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院
基金项目:国家科技重大专项资助项目(2009ZX03002-004);广东省战略新兴产业关键技术产业化专项资助项目(2011912004)
摘    要:为了降低TD-LTE终端功耗,采用0.13-μm CMOS工艺实现了一款基于TD-LTE终端的连续时间ΣΔADC。采用该ADC的TD-LTE接收机省去了传统接收机中的低通滤波器,节省了功耗。该ADC采用了3阶、3位量化的结构,并用较简单的方法实现了多余环路延迟(ELD)的补偿。该ADC的硅片测试结果显示在TD-LTE的20 MHz带宽下实现了66 dB的动态范围,功耗为25.1 mA。

关 键 词:TD-LTE  ΣΔADC  连续时间  多余环路延迟(ELD)
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