| 基板温度对电子束沉积LaF3薄膜残余应力的影响 |
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| 引用本文： | 郝殿中,韩培高,马丽丽,苏富芳,宋连科.基板温度对电子束沉积LaF3薄膜残余应力的影响[J].曲阜师范大学学报,2011,37(1). |
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| 作者姓名： | 郝殿中 韩培高 马丽丽 苏富芳 宋连科 |
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| 作者单位： | 山东省激光偏光与信息技术重点实验室,曲阜师范大学激光研究所,273165,山东省曲阜市 |
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| 摘 要： | 采用电子束沉积的方法,分别在K9玻璃基片上制备了LaF3单层膜.研究了基板温度对LaF3薄膜残余应力的影响;基板温度从200 ℃上升到350℃,间隔为50℃.利用ZYGO干涉仪测量了基板镀膜前后的面型变化,利用Stoney公式计算出残余应力;分析结果表明:在本实验条件下,残余应力为张应力,随基板温度的增加,有增大的趋势.
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| 关 键 词： | 光学薄膜 基板温度 残余应力 电子束沉积 |
Substrate Temperature's Effects on Residual Stress of LaF3 Films Prepared by Electron Beam Gun Evaporation |
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| HAO Dian-zhong,HAN Pei-gao,MA Li-li,SU Fu-fang,SONG Lian-ke.Substrate Temperature's Effects on Residual Stress of LaF3 Films Prepared by Electron Beam Gun Evaporation[J].Journal of Qufu Normal University(Natural Science),2011,37(1). |
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| Authors: | HAO Dian-zhong HAN Pei-gao MA Li-li SU Fu-fang SONG Lian-ke |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LaF3 |
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