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(ZnSe)n/(ZnS)m应变层超晶格的光吸收系数
作者姓名:李志杰
作者单位:沈阳工业数理系
摘    要:用L-K有效质量理论研究方向生长的(ZnSe)n/ZnS)m应变层超晶格的电子结构和光吸收系数。结果表明,光吸收系数与阱宽和垒厚有关。

关 键 词:应变层超晶格 亚带结构 光吸收系数 半导体
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