| 半导体中的多维流体力学模型在球的外部区域上的整体光滑解的渐进行为 |
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| 引用本文： | 王术,高勇,韩小森,肖玲. 半导体中的多维流体力学模型在球的外部区域上的整体光滑解的渐进行为[J]. 河南大学学报(自然科学版), 2003, 33(4): 1-12 |
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| 作者姓名： | 王术 高勇 韩小森 肖玲 |
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| 作者单位： | 河南大学,数学与信息科学学院,河南,开封,475001;中国科学院数学与系统科学研究所,北京,100088 |
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| 基金项目： | TheNationNaturalScienceFoundationofChina(GrantNo. 10 0 0 10 3 4),thespecialFundsofStateMajorBasicResearchProjects(GrantNo.19990 3 2 80 1),HenanProvinceNaturalScienceFoundationofChina |
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| 摘 要： | 研究半导体中的多维流体力学模型在球的外部区域上的整体光滑的渐进行为,证明了其依指数形式收敛到稳态解的特性。
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| 关 键 词： | 多维流体力学模型 半导体 渐进行为 整体球对称解 |
The Asymptotic Behavior of Global Smooth Solutions to the Multidimensional Hydrodynamic Model for Semiconductors in the Exterior Domain |
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| Abstract. The Asymptotic Behavior of Global Smooth Solutions to the Multidimensional Hydrodynamic Model for Semiconductors in the Exterior Domain[J]. Journal of Henan University(Natural Science), 2003, 33(4): 1-12 |
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| Authors: | Abstract |
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| Abstract: | In this paper, we study the asymptotic behavior of the global spherically symmetric smooth solutions to the initial boundary value problem for the multidimensional hydrodynamic model for semiconductors in the exterior domain. We prove that the solution of the problem converges to a stationary solution time asymptotically exponentically fast. |
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| Keywords: | multidimensional hydrodynamic model semiconductors asymptotic behavior global spherically symmetric smooth solution. |
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