| 半导体和半导体器件中的击穿现象 |
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| 引用本文： | 孔梅影.半导体和半导体器件中的击穿现象[J].国外科技新书评介,2007(7):21-21. |
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| 作者姓名： | 孔梅影 |
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| 摘 要： | 碰撞离化、雪崩和击穿效应是许多重要的半导体器件的基础。如雪崩光二极管、雪崩晶体管、抑制器、锐化二极管（击穿被延迟的二极管）、Impact和俘获等离子雪崩触发渡越二极管等。为了获得最快的速度和最大的功率，许多半导体器件必须在击穿或十分接近击穿的条件下工作。
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| 关 键 词： | 半导体器件 击穿现象 雪崩晶体管 光二极管 Impact 击穿效应 抑制器 等离子 |
Breakdown Phenomena in Semiconductors and Semiconductor Devices |
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| Kong Meiying.Breakdown Phenomena in Semiconductors and Semiconductor Devices[J].Scientific & Technology Book Review,2007(7):21-21. |
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| Authors: | Kong Meiying |
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