| Si上Ge薄膜特性研究 |
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| 引用本文： | 李科,杨茹,李国辉,彭长四,李永康. Si上Ge薄膜特性研究[J]. 北京师范大学学报(自然科学版), 2002, 38(2): 211-213. DOI: 10.3321/j.issn:0476-0301.2002.02.013 |
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| 作者姓名： | 李科 杨茹 李国辉 彭长四 李永康 |
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| 作者单位： | 1. 北京师范大学射线束材料工程开放实验室,北京师范大学低能核物理研究所,100875,北京;2. 中国科学院物理研究所,100800,北京 |
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| 基金项目： | 北京市自然科学基金;4992004; |
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| 摘 要： | 为了克服Ge雪崩光电二极管(APD)中因Ge的电子与空穴的碰撞离化系数相差不大带来的的较大噪声的缺点,拟研制一种新的器件--Ge/Si的吸收倍增分离雪崩光电二极管(SAM-APD). 先在n-Si衬底上用B+ 注入和分子束外延(MBE)2种方法分别形成p-Si,然后用MBE的方法在其上外延一层Ge膜.利用透射电镜、X光双晶衍射、Hall剥层测量等方法对Ge膜的单晶质量、电特性以及材料的p-n结特性做了分析比较,得到的结论是:Ge膜的单晶质量、电特性都比较好,直接生长的Ge膜的质量要优于经离子注入的Ge膜;但p-n结特性却是经离子注入的要好于直接生长的.
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| 关 键 词： | 雪崩光电二极管 Ge/Si 分子束外延 X光双晶衍射 透射电镜 |
| 修稿时间： | 2001-11-20 |
RESEARCH ON THE PROPERTIES OF Ge/Si FILM |
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| Li Ke ) Yang Ru ) Li Guohui ) Peng Changsi ) Li Yongkang ). RESEARCH ON THE PROPERTIES OF Ge/Si FILM[J]. Journal of Beijing Normal University(Natural Science), 2002, 38(2): 211-213. DOI: 10.3321/j.issn:0476-0301.2002.02.013 |
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| Authors: | Li Ke ) Yang Ru ) Li Guohui ) Peng Changsi ) Li Yongkang ) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | avalanche photodiode Ge/Si molecular beam epitaxy X ray double crystal analysis transmission electron microscope |
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