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| SiO_2／SiO界面能级位移光电发射的研究 | |
| 引用本文： | 陈立春,刘先明,邓振波,徐叙.SiO_2／SiO界面能级位移光电发射的研究[J].天津理工大学学报,1994(2). |
| 作者姓名： | 陈立春 刘先明 邓振波 徐叙 |
| 作者单位： | 天津理工学院材料物理所，中国科技大学表面分析开放实验室 |
| 基金项目： | 中国国家自然科学基金,二十一世纪天津青年基金 |
| 摘 要： | 芯层光电子能谱（ＸＰＳ）和价带光电子能谱（ＵＰＳ）是研究不同半导体之间界面价带落差的有效手段，由ＳｉＯ２／ＳｉＯ界面处的芯层和价带光电子能谱，我们确定ＳｉＯ２／ＳｉＯ界面能级落差为２．０ｅＶ，覆盖引起能带位移为０．９ｅＶ，同时发现ＳｉＯ和ＳｉＯ２中的化学组分是较复杂的。 |
| 关 键 词： | 光电子能谱，界面，能带位移 |
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