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| γ辐照对SiGe HBT特性的影响 | |
| 作者姓名： | 杨晨 刘轮才 龚敏 蒲林 程兴华 谭开州 王健安 石瑞英 |
| 作者单位： | 四川大学物理科学与技术学院微电子学系,成都,610064;微电子技术四川省重点实验室,成都,610064;中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆,400060 |
| 摘 要： | 对室温下γ射线辐照对SiGe异质双极晶体管（HBT）直流特性的影响进行了研究.结果表明, γ辐照后SiGe HBT的集电极电流和基极电流都有不同程度的增加，直流电流增益减少.并对γ辐照后引起SiGe HBT集电极电流净增加的原因进行了探讨.这可能有助于其抗辐照模型的建立. |
| 关 键 词： | SiGe HBT 基极电流 集电极电流 γ辐照 |
| 文章编号： | 0490-6756（2007）03-0587-04 |
| 修稿时间： | 2006-12-01 |
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