| 快速热压法制备掺杂纳米SiC的MgB_2超导体 |
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| 作者姓名： | 曲波 薛翠平 孙旭东 |
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| 作者单位： | 1. 东北大学,材料各向异性与织构教育部重点实验室,辽宁,沈阳,110004
2. 东北大学,理学院,辽宁,沈阳,110004 |
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| 基金项目： | 国家杰出青年科学基金,教育部新世纪优秀人才支持计划 |
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| 摘 要： | 采用快速热压烧结技术,在流动的高纯氩气保护氛围下,成功地制备出致密MgB2块材.系统地介绍了快速热压技术烧结MgB2块材的工艺,找出了烧结温度、保温时间、原料配比等最佳工艺参数;讨论了SiC纳米相的掺杂对MgB2块体的影响,包括微观显微组织、物相分析、临界电流密度(Jc)等.实验表明,在快速热压条件下,950℃保温30min,随后炉冷,可以制备出理想的MgB2块材,质量分数为5%SiC的掺杂可以极大地提高MgB2的超导性能.测试温度在20K以下,在自场下Jc可达到106A/cm2以上;在5K下,当外加磁场增加到7T时,Jc缓慢下降,但仍在105A/cm2以上,使其实用性得到更进一步改善.
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| 关 键 词： | MgB2 超导体 快速热压 SiC掺杂 |
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