| 多晶硅发射极锗硅合金基区HBT理论模型 |
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| 引用本文： | 李建军 李正孝. 多晶硅发射极锗硅合金基区HBT理论模型[J]. 大连理工大学学报, 1995, 35(3): 303-308 |
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| 作者姓名： | 李建军 李正孝 |
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| 作者单位： | 大连理工大学物理系，沈阳电子工业部４７所 |
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| 基金项目： | 机械电子工业部“八五”预研项目 |
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| 摘 要： | 对多晶硅发射极锗硅合金基区ＨＢＴ提出了一个理论模型，认为在多晶硅发射区和锗硅合金基区间存在一界面层。通过计算机模拟得到界面层的厚度取适当值时有利于增益的提高，但应降低界面态密度；随着基区中锗含量ｘ的增大增益相应增大，但由于界面态的作用，当ｘ增加到一定值时增益的提高变缓。
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| 关 键 词： | 晶体管 理论模型 多晶硅 发射极 锗硅合金基区 |
Theory model of poly -Siemitter/Ge_x Si_(1-x)base HBT |
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| Li Jianjun,Wei Xiwen, Wang Meitian,Li Zhengxiao,Wang Xiaoping. Theory model of poly -Siemitter/Ge_x Si_(1-x)base HBT[J]. Journal of Dalian University of Technology, 1995, 35(3): 303-308 |
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| Authors: | Li Jianjun Wei Xiwen Wang Meitian Li Zhengxiao Wang Xiaoping |
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| Abstract: | A theory model is proposed for poly-Si emitter/Ge_xSi_(1-x)base HBT. It is consideredthat there is an interface layer between emitter and base. The computer simulation shows that aproper thickness of the interface layer is of benefit to enhancing the current gain,but theinterface state density must be decreased.As the Ge content in the base region increases,thecurrent gain increases. Because of the interface state effect, the current gain increases slowly,while Ge content increases to a certain value. |
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| Keywords: | heterojunction transistors theoretical models /polysilicon |
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