N离子注入金刚石膜方法合成的CNx膜的成键结构 |
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引用本文: | 曹培江,王欣,等.N离子注入金刚石膜方法合成的CNx膜的成键结构[J].吉林大学自然科学学报,2001(2):49-52. |
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作者姓名: | 曹培江 王欣 |
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作者单位: | [1]吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春130023 [2]吉林大 |
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摘 要: | 使用N离子(能量分别为10keV,60keV)注入金刚石膜方法合成CNx膜,用Raman光谱和XPS光谱研究注入前后金刚石膜的成键结构。结果表明,金刚石膜经10keVN离子注入后,在Raman光谱中出现一个较强的金刚石峰(1332cm^-1)和一个弱的石墨峰(G带,-1550cm^-1)。而XPSN1s资料显示两个主峰分别位于~398.5eV和~400.0eV。金刚石膜经60keVN离子注入后,N1sXPS光谱中的主峰位于~400.0eV;相应地,Raman光谱中的石墨峰变得较强,通过比较,对注入样品的XPS谱中N1s的成键结构作如下归属:~400.0eV属于sp^2C-N键;~398.5eV则属于sp^3C-N键。
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关 键 词: | N离子注入 金刚石膜 成键结构 氮化碳薄膜 Raman光谱 XPS光谱 |
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