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| a-Si:HSchotky 势垒结构太阳能电池中的载流子俘获效应a-Si:H太阳能电池稳定性研究 | |
| 作者姓名： | 林鸿生 |
| 作者单位： | 中国科学技术大学物理系 |
| 摘 要： | 基于实验结果，应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对经高强度光辐照过的ａ－ＳｉＨＳｃｈｏｔｋｙ势垒结构太阳能电池进行计算机数值分析。计算结果与实验一致并且进一步指明，随着光辐照发生的载流子俘获造成的ａ－ＳｉＨ中空间电荷净增加或减少都会使电池内部电场分布发生变化和准中性区（低场“死层”）的出现，从而导致载流子收集长度的减少。这是ａ－ＳｉＨＳｃｈｏｔｋｙ势垒结构太阳能电池光致性能衰退的重要原因。于是，一种提高ａ－ＳｉＨ太阳能电池稳定性的新途径有可能被提出 |
| 关 键 词： | 载流子俘获效应；a－SiH太阳能光致性能衰退；Scharfetter－Gummel解法 |
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