| 高择优取向(100)PZT铁电薄膜的磁控溅射生长 |
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| 引用本文： | 王震东,赖珍荃,张景基.高择优取向(100)PZT铁电薄膜的磁控溅射生长[J].江西科学,2005,23(5):514-515,547. |
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| 作者姓名： | 王震东 赖珍荃 张景基 |
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| 作者单位： | 南昌大学理学院,江西,南昌,330047;南昌大学材料科学与工程系,江西,南昌,330047;南昌大学理学院,江西,南昌,330047;南昌大学材料科学与工程系,江西,南昌,330047 |
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| 基金项目： | 南昌大学校基金项目（Z-2918）. |
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| 摘 要： | 以射频（RF）磁控溅射法分别在Si（111）和Pt（111）／Ti／SiO2／Si基底上溅射沉积LaNiO3（LNO）薄膜电极，沉积过程中基底温度为370℃，然后对沉积的LNO薄膜样品进行快速热退火处理（500℃／10min）。X射线衍射（XRD）分析表明：Si（111）基底上LNO电极表现出高度的（100）取向，而Pt（111）／Ti／SiO2／Si基底上LNO电极则表现较强的（111）择优取向。然后在（100）LNO薄膜电极上生长PZT铁电薄膜，通过合适溅射工艺参数的选择，成功地制备了高度（100）取向的PZT铁电薄膜。
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| 关 键 词： | LaNiO3电极 PZT铁电薄膜 射频溅射 择优取向 |
| 文章编号： | 1001-3679（2005105-0514-03 |
| 收稿时间： | 2005-04-17 |
| 修稿时间： | 2005-04-172005-06-29 |
Preparation of Highly Oriented (100)PZT Ferroelectric Thin Films by RF Magnetron Sputtering |
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| WANG Zhen-dong,LAI Zhen-quan,ZHANG Jing-ji.Preparation of Highly Oriented (100)PZT Ferroelectric Thin Films by RF Magnetron Sputtering[J].Jiangxi Science,2005,23(5):514-515,547. |
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| Authors: | WANG Zhen-dong LAI Zhen-quan ZHANG Jing-ji |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LaNiO3 electrode PZT ferroelectric thin films RF sputtering Preferred orientation |
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