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离子束刻蚀光栅掩模图形转移分析
引用本文:吴娜.离子束刻蚀光栅掩模图形转移分析[J].吉林工学院学报,2014(6):628-632.
作者姓名:吴娜
作者单位:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春,130033
基金项目:国家重大科研装备开发专项
摘    要:依据特征曲线法推导出非晶体表面的离子束刻蚀模拟方程;结合全息光栅的刻蚀特点开发出离子束刻蚀模拟程序。模拟程序获得的模拟刻蚀参数可以用于类矩形光栅的刻蚀工艺参数设计,准确地描述不同工艺过程、工艺参数对最终刻蚀结果的影响,进而实现离子束刻蚀过程的可控性和可预知性。

关 键 词:衍射效率  刻蚀模拟  全息光栅

SimuIation and anaIysis of pattern transfer of ion beam etching grating mask
WU Na.SimuIation and anaIysis of pattern transfer of ion beam etching grating mask[J].Journal of Jilin Institute of Technology,2014(6):628-632.
Authors:WU Na
Institution:WU Na (Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences, Changchun 130033, China)
Abstract:
Keywords:diffraction efficiency  etching simulation  holographic grating
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