γ射线辐照对BJT硅器件参数的影响

研究了３种不同类型的ＢＪＴ硅晶体器件,经γ射线辐照,理化处理后,其反向截止电流,反向击穿电压,饱和压降,静态电流放大系数等电学参数的变化规律。