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| 激光法制备纳米级Si_3N_4荧光光谱研究 | |
| 引用本文： | 李道火.激光法制备纳米级Si_3N_4荧光光谱研究[J].科学通报,1992,37(17):1624-1624. |
| 作者姓名： | 李道火 |
| 作者单位： | 中国科学院安徽光学精密机械研究所，中国科学院安徽光学精密机械研究所 合肥 230031，合肥 230031 |
| 摘 要： | 自80年代初期以来,我们对激光法制备的纳米氮化硅的物理特性进行了一系列实验研究,发现了较多新的物理现象,如红外特征吸收峰畸变,红外金吸收特性,拉曼位移畸变等。本文首次对激光法制备的纳米非晶态氮化硅粉末及其加压成形块体的荧光光谱进行研究,提出了硅悬挂键作为陷阱中心和复合中心的荧光光谱新的作用机理。同时发现粉末压成块体时 |
| 关 键 词： | 纳米氮化硅 悬挂键 荧光光谱 |
| 收稿时间： | 1991-12-06 |
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