铜——二氧化硅体系巨霍耳效应研究 |
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引用本文: | 邬祥忠,李振声,等.铜——二氧化硅体系巨霍耳效应研究[J].天津理工学院学报,2001,17(1):24-26. |
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作者姓名: | 邬祥忠 李振声 |
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作者单位: | [1]天津理工学院自动化与能源工程学院,天津300191 [2]天津理工学院自动化与能源工程学院, |
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摘 要: | 研究了体积比为0.45≤x≤0.8的Cux(SiO2)1-x样品的霍耳系数与成份的关系,随着金属体积比的降低,霍耳系数R迅速增加,并在x=0.51时达到最大,其值为x=0.8的样品霍耳系数的700倍,远超过经典渗流理论计算数值。本研究表明,这种非磁性金属系统中的巨霍耳效应(GHE)是由界观尺度的量子干涉效应引起的。
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关 键 词: | 巨霍耳效应 渗流 铜—二氧化硅体系 霍耳系数 金属体积比 磁性金属体系 量子干涉 |
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