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铜——二氧化硅体系巨霍耳效应研究
引用本文:邬祥忠,李振声,等.铜——二氧化硅体系巨霍耳效应研究[J].天津理工学院学报,2001,17(1):24-26.
作者姓名:邬祥忠  李振声
作者单位:[1]天津理工学院自动化与能源工程学院,天津300191 [2]天津理工学院自动化与能源工程学院,
摘    要:研究了体积比为0.45≤x≤0.8的Cux(SiO2)1-x样品的霍耳系数与成份的关系,随着金属体积比的降低,霍耳系数R迅速增加,并在x=0.51时达到最大,其值为x=0.8的样品霍耳系数的700倍,远超过经典渗流理论计算数值。本研究表明,这种非磁性金属系统中的巨霍耳效应(GHE)是由界观尺度的量子干涉效应引起的。

关 键 词:巨霍耳效应  渗流  铜—二氧化硅体系  霍耳系数  金属体积比  磁性金属体系  量子干涉
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