| 氮化碳薄膜的制备及C-N/CuInSe_2/Si异质结光伏特性 |
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| 引用本文： | 周之斌.氮化碳薄膜的制备及C-N/CuInSe_2/Si异质结光伏特性[J].科学通报,1995,40(21):1969-1969. |
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| 作者姓名： | 周之斌 |
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| 作者单位： | 安徽师范大学物理系，西安交通大学太阳能研究所 芜湖241000，西安710049国家经委海南新能源办公室，海口570003 |
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| 摘 要： | 新材料氮化碳薄膜具有超强硬度和独特的物理、化学性质.近年来,引起国内、外学者的重视,1989年,Liu等从理论上预测人工合成具有β-C_3N_4结构的氮化碳材料的可能性,该材料有很大体变模量B,使其具有超强硬度等特性,极有可能在光电、磁、机械工业等领域获重要的应用,但合成工艺上一直没有取得突破,直到1993年,美国哈佛大学Niu等报道采用激光束蒸发石墨加氮离子束源工艺合成出氮化碳薄膜,该方法回避了等离子工艺过程的热动力学平衡及限制,显然只可作为人工合成预测的新材料的原理性方法而无法实用.我们从1988
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| 关 键 词： | 氮化碳薄膜 异质结 光伏特性 硒铟铜化合物 硅 |
| 收稿时间： | 1995-03-24 |
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