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| a-Si:H/SiO2多层膜中的脉冲激光诱导限制结晶 | |
| 引用本文： | 乔峰,隋妍萍,马忠元,李鑫,严晓明,黄信凡,陈坤基. a-Si:H/SiO2多层膜中的脉冲激光诱导限制结晶[J]. 山东科技大学学报(自然科学版), 2003, 22(Z1): 63-64 |
| 作者姓名： | 乔峰 隋妍萍 马忠元 李鑫 严晓明 黄信凡 陈坤基 |
| 作者单位： | 南京大学,物理系,江苏,南京,210093 |
| 摘 要： | 利用等离子增强化学气相淀积(PECVD)技术制备a-SiH/SiO2多层膜,并采用脉冲激光诱导限制结晶的方法,对a-SiH/SiO2多层膜进行晶化.喇曼(Raman)散射谱的结果表明经过激光辐照后纳米硅颗粒在原始的a-SiH子层形成,且尺寸可以精确控制. |
| 关 键 词： | 脉冲激光 多层膜 限制结晶 |
| 文章编号： | 1672-3767(2003)Sup.-0063-02 |
The Constrained Crystallization of a- Si:H/SiO2 Multilayer Induced by Pulsed Laser |
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