| 硅基氧化钆薄膜的生长及结构 |
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| 引用本文： | 李亭亭,戚泽明,程学瑞,张文华,张国斌,周洪军,潘国强.硅基氧化钆薄膜的生长及结构[J].中国科学技术大学学报,2011,41(10). |
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| 作者姓名： | 李亭亭 戚泽明 程学瑞 张文华 张国斌 周洪军 潘国强 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥230029;中国科学技术大学核科学与技术学院,安徽合肥230029
2. 中国科学技术大学物理系,安徽合肥,230026 |
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| 基金项目： | Supported by National Natural Science Foundation of China(10974191) |
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| 摘 要： | 采用脉冲激光沉积方法(PLD)在不同温度的Si(100)衬底上制备了Gd2O3栅介质薄膜,利用X射线衍射、X射线反射率以及光电子能谱等方法对它的结构、组成以及价带偏移等进行了研究.结果表明:衬底温度为300℃时,Gd2O3薄膜呈非晶态；当衬底温度为650℃时,形成单斜相的Gd2O3薄膜.XPS和XRR 结果确定其界面主要是由于界面反应形成的钆硅酸盐.通过XPS分析得到Gd2O3与Si之间的价带偏移为(-2.28±0.1)eV.
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| 关 键 词： | Gd2O3薄膜 激光脉冲沉积 高介电常数 |
Growth and characterization of Gd2O3 thin film on Si |
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| LI Tingting,QI Zeming,CHENG Xuerui,ZHANG Wenhua,ZHANG Guobin,ZHOU Hongjun,PAN Guoqiang.Growth and characterization of Gd2O3 thin film on Si[J].Journal of University of Science and Technology of China,2011,41(10). |
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| Authors: | LI Tingting QI Zeming CHENG Xuerui ZHANG Wenhua ZHANG Guobin ZHOU Hongjun PAN Guoqiang |
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| Institution: | LI Tingting1,2,QI Zeming1,CHENG Xuerui3,ZHANG Wenhua1,ZHANG Guobin1,ZHOU Hongjun1,PAN Guoqiang1,2(1.National Synchrotron Radiation Laboratory,University of Science and Technology of China,Hefei 230029,China,2.School of Nuclear Science and Technology,3.Department of Physics,Hefei 230026,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Gd2O3 thin film pulsed laser deposition high gate dielectric constant |
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