| 考虑悬浮哑元的结构化随机行走电容提取算法 |
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| 引用本文： | 孙泽武,朱恒亮,曾璇.考虑悬浮哑元的结构化随机行走电容提取算法[J].复旦学报(自然科学版),2014(1). |
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| 作者姓名： | 孙泽武 朱恒亮 曾璇 |
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| 作者单位： | 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61006030,61106032);国家十二五科技重大专项资助项目(2011ZX01035-001001-003) |
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| 摘 要： | 为了解决化学机械抛光(CMP)工艺带来的芯片平整性问题,集成电路制造工艺越来越多地选择向电路版图中填充金属哑元.然而,电路中的大量金属哑元大幅增加了互连线的寄生电容值.在提取含大量哑元电路的寄生电容时,传统寄生电容提取算法的效率会受到明显影响.提出了一种基于随机行走的寄生电容提取算法,利用区域分解技术,将哑元区域划分为多个子区域,通过对具有相同结构的标准子区域建立宏模型,并计算其马尔可夫转移矩阵,利用转移概率实现哑元区域内的"行走".同传统算法相比,在保证提取精度的前提下,方法具有更快的提取速度.此外,宏模型的建立可以避免对标准哑元结构的重复计算,提高计算结果的复用率.
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| 关 键 词： | 电容提取 悬浮哑元 随机行走 区域分解 |
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