| 应变层超晶格界面AISb－GaSb，AISb－InSb和GaSb－InSb的价带偏移 |
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| 引用本文： | 柯三黄,黄美纯,王仁智. 应变层超晶格界面AISb－GaSb，AISb－InSb和GaSb－InSb的价带偏移[J]. 厦门大学学报(自然科学版), 1995, 0(6) |
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| 作者姓名： | 柯三黄 黄美纯 王仁智 |
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| 基金项目： | 国家和福健省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用平均键能理论结合形变势方法对由ＡＩＳｂ，ＧａＳｂ和ＩｎＳｂ所构成的应变超晶格界面在任意应变状态下的价带偏移值进行了确定，并分析了阳离子浅ｄ轨道对价带偏移值的影响．结果表明，它们的价带偏移值具有显著的应变效应，此一显著的应变效应来源于应变的单轴分量及其与自旋－轨道分裂能量的耦合．这一效应导致了ＡＩＳｂ－ｌｎＳｂ和ＧａＳｂ－ＩｎＳｂ系统中最高价带排列的Ⅰ－Ⅱ型超晶格的转变．
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| 关 键 词： | 应变层超晶格，价带偏移 |
Valence-band lineups at strained-layer superlattice interfaces AISb-GaSb,AISb-InSb and GaSb-InSb |
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| Ke Sanhuang,Huang Meichun,Wang Renzhi. Valence-band lineups at strained-layer superlattice interfaces AISb-GaSb,AISb-InSb and GaSb-InSb[J]. Journal of Xiamen University(Natural Science), 1995, 0(6) |
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| Authors: | Ke Sanhuang Huang Meichun Wang Renzhi |
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| Affiliation: | Dept.of Phys. |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Strained-layer superlattice valence-band offset |
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