一种新型低阻SOIP—LDMOS研究

提出了一种新型SOIP—LDMOS器件，其大部分漂移区不覆盖场氧，从而避免了因生长场氧的高温过程而引起的硼杂质分凝效应，并在制备场氧、栅氧之后进行漂移区表面注入，由于注入后没有长时间的高温过程，进一步提高了漂移区表面的掺杂浓度。模拟结果表明新型P—LDMOS性能得到明显改善，与传统P—LDMOS相比开态导通电阻降低了24．7％，击穿电压提高了17．3％，饱和电流提高了26．7％。