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低温凝聚InSb膜超导电性的新结果
引用本文:曹效文.低温凝聚InSb膜超导电性的新结果[J].科学通报,1982,27(18):1108-1108.
作者姓名:曹效文
作者单位:中国科学院等离子体物理研究所 合肥 (曹效文,彭先会),中国科学技术大学物理系 合肥 (张裕恒,陈赓华),中国科学技术大学物理系 合肥(李玉芝)
摘    要:结晶态InSb是一种典型的半导体材料。Stromberg等把它在100℃下加压到27千巴,降温到77K,然后,撤去压力,仍然可以保持一个稳定的金属相。这个金属相在低温下具有大块超导体的性质。其T_c=1.89K,并且它的临界场Hc与温度T~2成近似线性关系。

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