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| ZnO P型掺杂研究取得重要进展 | |
| 引用本文： | 硅材料国家重点实验室.ZnO P型掺杂研究取得重要进展[J].中国基础科学,2004,6(6):14-14. |
| 作者姓名： | 硅材料国家重点实验室 |
| 作者单位： | 硅材料国家重点实验室 |
| 摘 要： | ZnO是一种非常重要的制备紫兰光器件的宽禁带半导体新材料 ,ZnO的P型掺杂是ZnO光电器件应用的关键技术和基础。浙江大学硅材料国家重点实验室叶志镇课题组在973计划项目“信息功能材料相关基础问题”的课题“宽带隙异质结构材料生长及电学、光学特性裁剪”和国家自然科学基金重点项目的支持下在ZnOP型掺杂方面进行了系统深入研究并取得重大突破。课题组发明了三种ZnO的P型掺杂技术 ,申请了 8项国家发明专利。其中使用N、Al共掺技术和用MOVCD混合气体掺杂技术制备的P型ZnO ,电阻率最低为 1.5Ω·cm ,空穴浓度 10 18cm-3 ,空穴迁移… |
| 关 键 词： | P型掺杂 宽禁带半导体 硅材料国家重点实验室 光器件 光电器件 异质结构 宽带 973计划 电学 课题组 |
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