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氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的XPS研究
引用本文:李庚伟,吴正龙,杨锡震,杨少延,张建辉,刘志凯. 氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的XPS研究[J]. 北京师范大学学报(自然科学版), 2001, 37(2): 174-179
作者姓名:李庚伟  吴正龙  杨锡震  杨少延  张建辉  刘志凯
作者单位:北京师范大学分析测试中心,中国科学院半导体材料科学实验室,;中国科学院半导体材料科学实验室,
基金项目:国家“八六三”计划资助项目
摘    要:利用X射线光电子能谱深度剖析方法对ZnO/Si异质结构进行了分析,用该法可生长出正化学比的ZnO,不过生长的ZnO薄膜存在孔隙,工艺还有待进一步改进。

关 键 词:ZnO/Si异质结构  X射线光电子能谱(XPS)  氧离子束辅助(O+-assisted)PLD
修稿时间:2000-07-11

X-RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY STUDIES ON ZnO/Si GROWN BY O+-ASSISTED PLD
Li Gengwei ,) Wu Zhenglong ,) Yang Xizhen ,) Yang Shaoyan ) Zhang Jianhui ) Liu Zhikai ). X-RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY STUDIES ON ZnO/Si GROWN BY O+-ASSISTED PLD[J]. Journal of Beijing Normal University(Natural Science), 2001, 37(2): 174-179
Authors:Li Gengwei   ) Wu Zhenglong   ) Yang Xizhen   ) Yang Shaoyan ) Zhang Jianhui ) Liu Zhikai )
Affiliation:Li Gengwei 1,2) Wu Zhenglong 1,2) Yang Xizhen 1,2) Yang Shaoyan 2) Zhang Jianhui 2) Liu Zhikai 2)
Abstract:Heteroepitaxial structure ZnO/Si(111) grown by O + -assisted pulsed laser deposition (PLD) has been investigated by using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) depth profile measurements. The experiments show that the thin films grown on Si(111) are stoichiometric ZnO. It indicates that the growth method is practicable. And there are porosities in the thin film, the technology needs improving.
Keywords:ZnO/Si heterostructure  X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)  O + -assisted pulsed laser deposition (PLD)
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