| Al—Ge共蒸膜晶化现象的TEM研究 |
| |
| 引用本文： | 王戴木.Al—Ge共蒸膜晶化现象的TEM研究[J].阜阳师范学院学报(自然科学版),1997(4):5-8. |
| |
| 作者姓名： | 王戴木 |
| |
| 作者单位： | 阜阳师范学院物理系 |
| |
| 摘 要： | 本文对三种不同Al原子百分比的Al—Ge共蒸膜进行了透射电镜观察研究,实验表明:a—Ge的晶化行为敏感地依赖于共蒸膜中Al原子百分比及退火温度,分形结构的出现是由于温度场控制的随机逐次成核机制作用的结果。
|
| 关 键 词： | 薄膜 铝／锗共蒸膜 晶化 TEM 铝／锗双层膜 |
TEM Investigation of Crystallization Behavior in Al - Ge thin Films |
| |
| Abstract: | Evaporated Al -Ge thin films with various Al -atom ratio were investigated by TEM. Experiments show that the crystallization behavior of a -Ge is sensitively dependent on the Al -atom ratios and on the annealing temperatures. The random successive nucleation mechanism can be used to enplain the behavior of the fractal formation. |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
