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OTFT开关比的主要影响因素及参数调节分析
引用本文:陈金伙,李文剑,程树英.OTFT开关比的主要影响因素及参数调节分析[J].福州大学学报(自然科学版),2013,41(5):858-861.
作者姓名:陈金伙  李文剑  程树英
作者单位:福州大学物理与信息工程学院,福建 福州 350116;福州大学物理与信息工程学院,福建 福州 350116;福州大学物理与信息工程学院,福建 福州 350116
基金项目:福建省自然科学基金资助项目(2009J05146;2012J01269)
摘    要:拓展Brown模型结果,引进参量K(杂质层电流/感应层电流)分析有机薄膜晶体管(OTFT)开关比的主要影响参数,并提出一种提升器件开关比的最佳参数调整方法,它能有效解决各主要参数之间相互影响相互制约所带来的问题.最后,在参数调整接近至极限开关比情况下,研究N A(有效杂质浓度)和T s(有源层厚度)对开关比的影响规律.本研究结果可最大程度提升OTFT开关比,并为其它性能参数留下"设计余量".

关 键 词:薄膜晶体管  IV方程  开关比  优化措施  参数调节

The primary influencing factors and their adjustment method to improve Ion/Ioff of OTFT
CHEN Jin-huo,LI Wen-jian and CHENG Shu-ying.The primary influencing factors and their adjustment method to improve Ion/Ioff of OTFT[J].Journal of Fuzhou University(Natural Science Edition),2013,41(5):858-861.
Authors:CHEN Jin-huo  LI Wen-jian and CHENG Shu-ying
Institution:CHEN Jin-huo;LI Wen-jian;CHENG Shu-ying;College of Physics and Information Engineering,Fuzhou University;
Abstract:
Keywords:
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