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| C60薄膜的离化团族束沉积及离子掺杂 | |
| 引用本文： | 傅德君,雷园园.C60薄膜的离化团族束沉积及离子掺杂[J].武汉大学学报(自然科学版),1998,44(3):347-350. |
| 作者姓名： | 傅德君 雷园园 |
| 作者单位： | 武汉大学物理学系 |
| 摘 要： | 用离化团簇束（ＩＣＢ）沉积法在石英玻璃和云母衬底上形成了Ｃ６０薄膜，ＸＲＤ测试表明膜呈多晶结构，原位电阻测试表明膜的室温电阻率超过１０＾４Ωｃｍ，具有负的电阻温度系数。用８０ｋｅＶ Ｐ＾＋，ＢＢｒ３＾＋，Ａｒ＾＋和Ｈｅ＾＋对Ｃ６０膜作剂量范围为０￣１０＾１６ｃｍ＾－２的离子注入，Ｃ６０膜的电阻率随注入剂量增加而急剧下降，磷注入具有ｎ型掺杂作用，离子与Ｃ６０分子的相互作用导致Ｃ６０分子分裂，引起薄膜 |
| 关 键 词： | 离化团簇束沉积 离子注入 原位测试 碳60 薄膜 |
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